申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2024-01-04
公开(公告)日:2024-05-10
公开(公告)号:CN118016516A
主分类号:H01L21/02
分类号:H01L21/02;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要:本发明提供一种SONOS结构中的隧穿氧化层结构,包括衬底;形成于衬底上的隧穿氧化层结构,隧穿氧化层结构由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成;氮化层的材料包括SiN和SiON,第一、二氧化层的材料为SiO2。本发明形成的隧穿氧化层结构,SiNSiON能够提升原Si‑SiO界面处的擦写耐受能力cycling;同EOT等效氧化层厚度下,隧穿氧化层物理厚度变厚,工作时向下更不易漏电。
主权项:1.一种SONOS结构中的隧穿氧化层结构,其特征在于,包括:衬底;形成于所述衬底上的隧穿氧化层结构,所述隧穿氧化层结构由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成;所述氮化层的材料包括SiN和SiON,所述第一、二氧化层的材料为SiO2。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS结构中的隧穿氧化层结构及其制造方法
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