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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053809A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括步骤：形成第一刻蚀停止层、层间膜和金属硬掩膜层，第一刻蚀停止层包括依次叠加的氮化铝层、第一ODC层和氧化铝层。对金属硬掩膜层进行第一次图形化刻蚀。形成通孔硬掩膜层并对通孔硬掩膜层进行第二次图形化刻蚀。进行停止在氧化铝层的表面的AIO刻蚀以在层间膜中同时形成沟槽和通孔开口。采用第一次湿法刻蚀去除氧化铝层。采用第一次干法刻蚀去除第一掺氧碳化硅层，在第一次干法刻蚀中，金属硬掩膜层继续作为硬掩膜以保护层间膜。采用第二次湿法刻蚀去除金属硬掩膜层。采用第三次湿法刻蚀工艺去除氮化铝层。形成金属层。本发明能在去除第一刻蚀停止层时防止对层间膜产生损耗并从而防止通孔和金属线短接。
主权项：1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在底层结构上形成第一刻蚀停止层、层间膜和金属硬掩膜层，所述第一刻蚀停止层包括依次叠加的氮化铝层、第一掺氧碳化硅层和氧化铝层；对所述金属硬掩膜层进行第一次图形化刻蚀以将沟槽形成区域打开；形成通孔硬掩膜层并对所述通孔硬掩膜层进行第二次图形化刻蚀以将通孔形成区域打开；进行一体化刻蚀以在所述层间膜中同时形成沟槽和通孔开口，所述一体化刻蚀停止在所述氧化铝层的表面，所述通孔硬掩膜层在所述一体化刻蚀中被去除，所述通孔开口底部的所述氧化铝层的表面暴露；采用第一次湿法刻蚀去除所述通孔开口底部暴露的所述氧化铝层；采用第一次干法刻蚀去除所述通孔开口底部暴露的所述第一掺氧碳化硅层，在所述第一次干法刻蚀中，所述金属硬掩膜层继续作为硬掩膜以保护所述层间膜并减少所述层间膜损失；采用第二次湿法刻蚀去除所述金属硬掩膜层；采用第三次湿法刻蚀工艺去除所述氮化铝层；形成金属层将所述沟槽和所述通孔开口填充，由填充于所述沟槽中的所述金属层组成金属线，由填充于所述通孔开口中的所述金属层组成通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 双大马士革工艺方法
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