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申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日：2024-01-10
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053953A
主分类号：H01L33/12
分类号：H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00;H01L25/16
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本公开提供了一种具有渐变层的发光二极管及制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管包括衬底、第一半导体层、渐变层、有源层和第二半导体层；第一半导体层、渐变层、有源层和第二半导体层依次叠设在衬底的一面；渐变层中In的摩尔含量沿外延生长方向逐渐增加。本公开通过在发光二极管设置衬底和依次叠设在衬底一面的第一半导体层、渐变层、有源层、第二半导体层，渐变层实现晶格与有源层晶格的匹配。同时通过设置渐变层中In的摩尔含量沿外延生长方向逐渐增加，使得渐变层释放应力提升晶体质量，减少了发光二极管中非辐射复合的发生，满足高发光效率的三原色的集成，进而提高了发光二极管的发光亮度。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底1、第一半导体层2、渐变层3、有源层4和第二半导体层5；所述第一半导体层2、所述渐变层3、所述有源层4和所述第二半导体层5依次叠设在所述衬底1的一面；所述渐变层3中In的摩尔含量沿外延生长方向逐渐增加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华灿光电(浙江)有限公司 具有渐变层的发光二极管及制备方法
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