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申请/专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
申请日：2024-01-23
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118040464A
主分类号：H01S5/10
分类号：H01S5/10;H01S5/22;H01S5/065
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明公开了一种基于侧向模式调控的InP基单模半导体激光器，包括沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层、P型欧姆接触层和P面电极；在InP基单模半导体激光器的侧向上，P型包层的一侧厚度由不完全刻蚀形成台阶波导或渐变波导，而P型包层另一侧的厚度完全刻蚀到P型波导层，从而控制InP基单模半导体激光器的侧向模式分布；在所述P型包层中设置有复合微结构，复合微结构沿所述InP基单模半导体激光器的纵向按一定周期平行排布，从而选择所述InP基单模半导体激光器的特定纵模。本发明可以解决传统脊波导激光器功率低、发散角差、成本高、生产效率低等问题。
主权项：1.一种基于侧向模式调控的InP基单模半导体激光器，其特征在于：包括沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极（101）、衬底（102）、缓冲层（103）、N型波导层（104）、有源层（105）、P型波导层（106）、P型包层（109）、P型欧姆接触层（107）和P面电极（108）；在InP基单模半导体激光器的侧向上，P型包层（109）的一侧厚度由不完全刻蚀形成台阶波导或渐变波导，而P型包层（109）另一侧的厚度完全刻蚀到P型波导层（106），从而控制InP基单模半导体激光器的侧向模式分布；在所述P型包层（109）中设置有复合微结构，复合微结构沿所述InP基单模半导体激光器的纵向按一定周期平行排布，从而选择所述InP基单模半导体激光器的特定纵模。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所 一种基于侧向模式调控的InP基单模半导体激光器
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