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申请/专利权人：华南理工大学
申请日：2019-09-23
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN110571289B
主分类号：H01L31/0304
分类号：H01L31/0304;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2020.01.07#实质审查的生效;2019.12.13#公开
摘要：本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP‑石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP‑石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
主权项：1.一种InP-石墨烯太阳电池，其特征在于：所述InP-石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触；所述InP外延层是指Zn掺杂InP外延层，晶向为100，Zn掺杂浓度为6×1017~6×1018cm3，载流子迁移率为100~200cm2v·s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种InP-石墨烯太阳电池及其制备方法
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