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申请/专利权人：湘潭大学
申请日：2023-12-04
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118086835A
主分类号：C23C14/18
分类号：C23C14/18;C23C14/32;C23C16/30;C23C16/448
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开一种大面积PdS2xSe2（1‑x）纳米薄膜的制备方法及应用，涉及硫属化合物纳米薄膜领域。采用电子束蒸发镀膜与低压化学气相沉积相结合的方法，通过调节生长过程中硫粉和硒粉的质量比例，实现了不同元素组分PdS2xSe2（1‑x）纳米薄膜的可控制备。本发明所得纳米薄膜具有高结晶性、大面积的特点，在光电器件、太阳能电池、催化等领域具有巨大的应用价值，这种可控的方法为生产大面积均匀的合金纳米薄膜开辟了一条新途径，提供了一种通用、高效和工业可扩展的方式来调整其物理性能，具有定制光谱响应的光电器件的潜力。
主权项：1.一种PdS2xSe2（1-x）纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.通过电子束蒸发镀膜仪在基底上蒸镀钯纳米薄膜；S2.将蒸镀钯纳米薄膜的基底放在管式炉的加热中心，按照气流由上游至下游的顺序，将装有硫粉或和硒粉的刚玉坩埚放置在管式炉的上游；S3.打开气流阀，向管式炉通入氩气，在生长前清洗反应腔；S4.在载气氛围下，开启真空泵，升高管式炉的温度，将加热中心温度加热至325℃~400℃，并将硫粉或和硒粉置于距离加热中心2~6cm处，生长时间为10~30分钟，生长结束即得到大面积的PdS2xSe2（1-x）纳米薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 一种PdS2xSe2（1-x）纳米薄膜的制备方法及应用
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