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申请/专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118100604A
主分类号：H02M1/08
分类号：H02M1/08;H03K17/687;H02M1/32;H02M1/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路，属于集成电路领域，通过第一栅极控制器件进入开关状态，第二栅极控制系统的待机状态。电路包括隔离型栅极驱动芯片、隔离型变压器、双栅宽禁带功率器件和增强型半导体器件，其中双栅宽禁带功率器件的第二栅极连接增强型半导体器件的源极，双栅宽禁带功率器件的源极连接增强型半导体器件的漏极。双栅宽禁带功率器件包括第一栅极和间隔沟槽型的第二栅极。本发明实现了耗尽型功率器件的正压直驱功能，同时充分发挥了宽禁带半导体材料的高频开关特性与高阻断耐压能力，具有高栅压工作范围，高栅极可靠性，低泄漏电流与高反向续流能力。
主权项：1.一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路，其特征在于，包括：隔离型栅极驱动芯片，所述隔离型栅极驱动芯片的IN端连接脉冲源VPULSE，VDDI端连接输入供电的VDC+端，VSSI端连接输入供电的VDC-端，VDDO端连接输出供电的VCC+端，VSSO端连接输出供电的VCC-端，OUT端连接第一电阻R1的一端；双栅宽禁带功率器件M1，所述双栅宽禁带功率器件M1具有第一栅极G1、第二栅极G2和内嵌的第一二极管D1，所述第一栅极G1连接所述第一电阻R1的另一端，所述第一二极管D1的阳极连接所述第二栅极G2，阴极连接所述双栅宽禁带功率器件M1的漏极；第二二极管D2，所述第二二极管D2的阳极连接所述隔离型栅极驱动芯片的VDDO端，阴极连接所述双栅宽禁带功率器件M1的源极；隔离型变压器，所述隔离型变压器的VIN端连接外部供电的VDC+端，GND端连接外部供电的VDC-端，+VO端连接第二电阻R2的一端；增强型半导体器件M2，所述增强型功率器件M2的栅极连接所述第二电阻R2的另一端，源极连接所述隔离型变压器的0V端和所述双栅宽禁带功率器件M1的第二栅极G2，漏极与所述双栅宽禁带功率器件M1的源极连接至SW端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路
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