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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-06-15
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN112116941B
主分类号：G11C16/10
分类号：G11C16/10;G11C16/04;G11C16/32
优先权：["20190620 US 16/447,727"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.28#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开
摘要：本申请案涉及有关存储器侧NAND侧写入训练的系统及方法。本发明揭示涉及存储器侧写入训练以改进数据有效窗口的系统及方法。在一个实施方案中，用于执行存储器侧写入训练的方法可包括：延迟第一数据信号的上升沿或下降沿；延迟第二数据信号的上升沿或下降沿；及使两个经调整信号对准以减小所述数据信号非有效的时间窗口且借此改进或优化存储器阵列的所述数据有效窗口DVW。根据本文中的实施方案，可经由存在于位于系统的所述存储器侧上的数据路径中的专用修整单元或电路系统而调整或延迟数据信号及时钟信号的各种边沿。
主权项：1.一种存储器操作方法，所述方法包括：将写入训练指令提供到与将数据写入到存储器阵列相关联的数据1信号及数据0信号；单独地延迟所述数据1信号的上升沿或下降沿以调整与所述数据1信号的分布相关联的第一非有效窗口的位置；单独地延迟所述数据0信号的上升沿或下降沿以调整与所述数据0信号的分布相关联的第二非有效窗口的位置；使关联于所述数据1信号的所述第一非有效窗口与关联于所述数据0信号的所述第二非有效窗口对准，使得经调整数据1信号与经调整数据0信号重叠；其中经由与所述存储器阵列整体制作的电路系统而提供所述写入训练指令。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 涉及存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法
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