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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234235A
主分类号：H10B43/10
分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：三维NAND存储器件及其形成方法。一种半导体器件包括在竖直方向上堆叠在半导体层之上的层级。每个层级包括交替的字线层和绝缘层。栅极线结构GLS延伸穿过所述层级的所述字线层和所述绝缘层。沟道结构延伸穿过所述层级的所述字线层和所述绝缘层。所述GLS的侧壁在两个相邻层级之间的边界处不连续，并且所述沟道结构的侧壁在两个相邻层级之间的界面处不连续。所述GLS包括第一GLS、第二GLS或其组合，所述第一GLS包括栅极线缝隙，所述第二GLS包括在水平方向上彼此间隔开的子GLS。
主权项：1.一种半导体器件，包括：在竖直方向上堆叠在半导体层之上的层级，每个层级包括交替的字线层和绝缘层；栅极线结构GLS，延伸穿过所述层级的所述字线层和所述绝缘层；以及沟道结构，延伸穿过所述层级的所述字线层和所述绝缘层，其中，所述GLS的侧壁在两个相邻层级之间的边界处不连续，并且所述沟道结构的侧壁在两个相邻层级之间的界面处不连续，其中，所述GLS包括第一GLS、第二GLS或其组合，所述第一GLS包括栅极线缝隙，所述第二GLS包括在水平方向上彼此间隔开的子GLS。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维NAND存储器件及其形成方法
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