龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234240A
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/27
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：公开了一种半导体装置，其包括在Z方向上向上堆叠并且平行于X‑Y平面延伸的N个层叠。N为大于1的整数。每个层叠包括交替的字线层和绝缘层。N个层叠包括第一层叠和与第一层叠相邻的第二层叠。多层叠栅缝隙GLS结构在X‑Z平面中延伸并且切割穿过N个层叠的字线层和绝缘层。多层叠GLS结构在第一层叠中具有第一侧壁，在第二层叠中具有第二侧壁，并且在第一层叠和第二层叠之间的边界处具有第三侧壁。第三侧壁连接第一侧壁和第二侧壁。
主权项：1.一种半导体装置，包括：N个层叠，所述N个层叠在Z方向上向上堆叠并且平行于X-Y平面延伸，N为大于1的整数，所述X-Y平面垂直于所述Z方向并且具有X方向和垂直于所述X方向的Y方向，每个层叠包括交替的字线层和绝缘层，所述N个层叠包括第一层叠和与所述第一层叠相邻的第二层叠：以及多层叠栅缝隙GLS结构，在X-Z平面中延伸并且切割穿过所述N个层叠的所述字线层和所述绝缘层，其中：所述多层叠GLS结构在所述第一层叠中具有第一侧壁，在所述第二层叠中具有第二侧壁，并且在所述第一层叠和所述第二层叠之间的边界处具有第三侧壁，所述第三侧壁连接所述第一侧壁和所述第二侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维NAND存储装置及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号