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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234237A
主分类号：H10B43/27
分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：公开了一种半导体装置，其包括N个层叠。每个层叠包括交替的字线层和绝缘层。每个层叠包括两个第一栅缝隙GLS结构和位于两个第一GLS结构之间的第二GLS结构。两个第一GLS结构和第二GLS结构均在X‑Z平面内延伸并切割穿过相应层叠的字线层和绝缘层。N个层叠中的至少一个层叠的至少一个第二GLS结构包括多个子GLS结构。多个子GLS结构彼此分离。
主权项：1.一种半导体装置，包括：N个层叠，所述N个层叠在Z方向上向上堆叠并且平行于X-Y平面延伸，N为大于1的整数，所述X-Y平面垂直于所述Z方向并且具有X方向和垂直于所述X方向的Y方向，每个层叠包括交替的字线层和绝缘层，其中：每个层叠包括两个第一栅缝隙GLS结构和位于所述两个第一GLS结构之间的第二GLS结构，所述两个第一GLS结构和所述第二GLS结构均在X-Z平面中延伸并且切割穿过相应的所述层叠的所述字线层和所述绝缘层，所述N个层叠中的至少一个层叠的至少一个第二GLS结构包括多个子GLS结构，所述多个子GLS结构彼此分离，并且每个层叠的所述第二GLS结构形成多层叠GLS结构，所述多层叠GLS结构在所述N个层叠的第一层叠中具有第一侧壁，在所述N个层叠的第二层叠中具有第二侧壁，并且在所述第一层叠和与所述第一层叠邻近的所述第二层叠之间的边界处具有第三侧壁，所述第一侧壁的上边缘与所述第二侧壁的下边缘交错，所述第三侧壁连接所述第一侧壁和所述第二侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维NAND存储装置及其形成方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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