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申请/专利权人：亮锐控股有限公司
申请日：2017-05-19
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN113078243B
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/62
优先权：["20160714 EP 16179434.2","20160520 US 62/339412"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.28#授权;2021.07.23#实质审查的生效;2021.07.06#公开
摘要：本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。
主权项：1.一种用于生长发光器件的方法，所述方法包括：在不使至少p型区失活的至少减少的氢环境中，通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区；并且使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亮锐控股有限公司 用于生长发光器件中的层的方法
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