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申请/专利权人：华芯程(杭州)科技有限公司
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118112882A
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开
摘要：本申请提供曲线掩模OPC修正方法、装置、介质、程序产品及终端，通过从原始图像中提取采样点，利用采样点进行初步拟合并生成待优化的拟合区域。随后，根据目标函数对待优化的拟合区域进行多轮迭代优化，最终生成经过OPC修正的曲线掩膜版。相较于现有的曼哈顿OPC修正技术，本申请通过对控制点进行移动的方式对掩膜版进行修正，具有更高的修正自由度。优化后的掩膜边缘形状不再受限于曼哈顿优化法中的若干正交矩形。此外，该方法步骤简单，计算量小，能够有效避免过拟合，节省晶圆材料。因此解决了现有曼哈顿掩膜光学邻近效应修正优化过程中步骤复杂、精度有限以及修正自由度不足的问题。
主权项：1.一种曲线掩模OPC修正方法，其特征在于，包括：获取原始版图；从所述原始版图中提取多个采样点，并对所述多个采样点进行采样点拟合操作以生成待优化拟合区域；基于预设选点策略在所述待优化拟合区域的边界上选取多个控制点；对所述多个控制点执行多轮迭代优化后生成最优拟合区域，所述最优拟合区域为经光学邻近效应修正后的曲线掩模版。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华芯程(杭州)科技有限公司 曲线掩模OPC修正方法、装置、介质、程序产品及终端
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