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申请/专利权人：恩智浦有限公司
申请日：2023-11-29
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118116957A
主分类号：H01L29/737
分类号：H01L29/737;H01L21/331
优先权：["20221129 US 18/059,849"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.31#公开
摘要：本公开涉及具有单晶非本征基极的半导体装置及其方法。一种半导体装置包括：半导体衬底；集电极区，所述集电极区在第一半导体区中形成在所述半导体衬底内，具有上部表面和集电极侧壁；基极区，所述基极区安置在所述集电极区上方；晶种区，所述晶种区形成在所述半导体衬底上方并且在所述基极区外部耦合到所述半导体衬底；非本征基极区，所述非本征基极区具有上部表面并且形成在所述晶种区上方并且电耦合到所述基极区；以及发射极区，所述发射极区形成在所述基极区上方。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；集电极区，所述集电极区在第一半导体区中形成在所述半导体衬底内，具有上部表面和集电极侧壁；基极区，所述基极区安置在所述集电极区上方；晶种区，所述晶种区形成在所述半导体衬底上方并且在所述基极区外部耦合到所述半导体衬底；非本征基极区，所述非本征基极区具有上部表面并且形成在所述晶种区上方并且电耦合到所述基极区；以及发射极区，所述发射极区形成在所述基极区上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦有限公司 具有单晶非本征基极的半导体装置及其方法
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