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申请/专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN117977518B
主分类号：H02H9/04
分类号：H02H9/04;H02H1/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.04#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本申请公开了一种衬底触发型的ESD保护电路，该电路触发电压低，只需要一个PN结正偏的电压就能触发，由于使用了Nwell作为寄生三极管的发射极和集电极，所以ESD器件有更大的静电释放体积，相同静电释放等级下，版图面积比传统的ESD保护电路面积小，用于解决回滞电源钳位电路触发电压高，先进工艺下结深浅的问题。该电路包括：第一NMOS管，漏端接地，栅端接反相器的输入端、电阻的一端和第一电容的一端，源端接第二NMOS管的源端和一个或多个ESD器件相连，第一电容的接地，电阻的另一端接电源；第二NMOS管，漏端接电源，栅端接第二电容的一端和反相器的输出端，第二电容的另一端接电源。
主权项：1.一种衬底触发型的ESD保护电路，其特征在于，该电路包括检测单元和泄放单元，所述检测单元包括两个NMOS管，其中：第一NMOS管（2）被配置为：漏端接电源（1），栅端接反相器（5）的输入端、电阻（6）的一端和第一电容（7）的一端，源端与第二NMOS管（3）的源端彼此连接、并连接至泄放单元；所述第一电容（7）的另一端接地（15），所述电阻（6）的另一端接电源（1）；第二NMOS管（3）被配置为：漏端接电源（1），栅端接第二电容（4）的一端和反相器（5）的输出端，所述第二电容（4）的另一端接电源（1）；所述泄放单元包括一个或多个ESD器件，ESD器件（14）包括P型衬底和外延层，外延层由纵向交替的Pwell区和Nwell区构成，Pwell区上设置P+注入区、Nwell区上设置N+注入区，两个相邻注入区之间为浅沟槽隔离区或栅极多晶区；每一个ESD器件（14）中都包括一个与第一NMOS管（2）、第二NMOS管（3）的源端相连接的P+注入区，与该P+注入区相邻的一个N+注入区接电源（1），其余P+注入区、N+注入区及栅极多晶区接地（15）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州芯正微电子有限公司 一种衬底触发型的ESD保护电路
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