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【发明公布】一种离子束刻蚀中的离子栅网结构_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202211558052.1 

申请/专利权人:江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请日:2022-12-06

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN118156106A

主分类号:H01J37/08

分类号:H01J37/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开

摘要:本申请提供了一种离子束刻蚀中的离子栅网结构,该离子栅网结构包括:屏栅和位于屏栅远离放电腔室的一侧的至少一个栅网;屏栅面对放电腔室的一侧设置有倒角。从而通过改变屏栅的形貌改变等离子体鞘层的形貌,可以起到减小屏栅等效栅厚的目的,从而在兼顾屏栅机械强度,保证屏栅厚度的情况下,实现了增加离子栅网结构的离子束流引出能力的目的。

主权项:1.一种离子束刻蚀中的离子栅网结构,其特征在于,包括:屏栅和位于所述屏栅远离放电腔室的一侧的至少一个栅网;所述屏栅面对所述放电腔室的一侧设置有倒角。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种离子束刻蚀中的离子栅网结构

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