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申请/专利权人：南京邮电大学
申请日：2024-05-09
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118145593A
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00;G03F7/00;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O25s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
主权项：1.基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：步骤1，裁剪聚二甲基硅氧烷PDMS薄膜尺寸，贴合在载玻片上形成PDMS载玻片结构；步骤2，使用机械剥离的方法将过渡金属硫化物TMDC二维材料转移至上述的PDMS薄膜上，使用刀片进行切割去除周边无关PDMS薄膜，减小贴合在载玻片上的PDMS面积，形成TMDCPDMS载玻片结构；步骤3，将TMDCPDMS载玻片结构使用干法转移的方式把TMDC二维材料转移至目标衬底上，TMDCPDMS载玻片固定在转移平台的基片卡槽里，把目标衬底使用热熔胶固定在样品台上，形成TMDC衬底结构；步骤4，使用旋涂仪在TMDC衬底上旋涂一层SU8薄膜，加热后形成SU8薄膜TMDC衬底结构；步骤5，制备印章，通过纳米压印的方式将纳米阵列图案转移至SU8薄膜TMDC衬底上，形成了图案化SU8薄膜TMDC衬底结构；步骤6，使用RIE等离子刻蚀处理图案化SU8薄膜TMDC衬底，最终得到目标图案化TMDC衬底结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法
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