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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2023-05-18
公开（公告）日：2023-09-15
公开（公告）号：CN116752096A
主分类号：C23C14/24
分类号：C23C14/24;C23C14/54
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.10.03#实质审查的生效;2023.09.15#公开
摘要：本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nmKrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。
主权项：1.一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置，其特征在于，包括：MBE腔体；用于放置样品的五维样品台；两级真空泵系统，通过机械泵与分子泵获得超高真空背景压力；双温区热蒸发源，采用坩埚底和坩埚口双温区以提高源材料的有效束流；准分子激光器，使用248nmKrF准分子脉冲激光轰击相应靶材；气路连接口，所述气路连接口通过漏阀将气路与MBE腔体连接，可向MBE腔体内通入氩气、氢气、或氧气，实现腔体内10-7Pa～10kPa近常压下可调的惰性、还原性、或氧化性氛围；光纤耦合激光加热装置，对衬底进行局域加热，升降温速率可调；以及两级差分反射式高能电子衍射仪，以实现TMDC样品近常压生长的实时监测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置
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