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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-12
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197991A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768
优先权：["20221212 KR 10-2022-0173059"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种形成半导体装置的图案的方法，该方法包括：在具有第一区和第二区的衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上按次序形成下掩模层和上掩模层；在上掩模层上在第一区和第二区中分别形成具有相同宽度的多个窄开口的线形硬掩模图案；在线形硬掩模图案的开口的侧壁上形成线形间隔件；通过去除线形硬掩模图案中的具有第二宽度的图案形成由间隔件和线形硬掩模图案中的具有第一宽度的图案组成的复合掩模图案，第二宽度小于第一宽度。
主权项：1.一种形成半导体装置的图案的方法，所述方法包括：在具有第一区和第二区的衬底上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上按次序形成下掩模层和上掩模层；在所述上掩模层上在所述第一区和所述第二区中分别形成具有相同的第四宽度的多个第一开口的线形硬掩模图案；在所述线形硬掩模图案的所述多个第一开口的侧壁上形成线形间隔件；通过去除所述线形硬掩模图案中的具有第二宽度的图案形成由所述间隔件和所述线形硬掩模图案中的具有第一宽度的图案组成的复合掩模图案，所述第二宽度小于所述第一宽度；通过利用所述复合掩模图案作为蚀刻掩模按次序蚀刻所述上掩模层和所述下掩模层来形成下掩模图案；利用所述下掩模图案作为蚀刻掩模，将所述绝缘膜蚀刻为在所述第一区和所述第二区中的每一个中具有相同的多个第一开口的线形绝缘图案；通过在所述第一区中去除所述线形绝缘图案中的具有第三宽度的图案来形成第二开口，并且保持所述第二区中的所述线形绝缘图案的所述多个第一开口，所述第三宽度大于所述第四宽度；形成填充所述第二开口和所述线形绝缘图案的所述多个第一开口的导电材料层；以及将所述导电材料层抛光，使其成为在所述第一区中的具有第一线宽的第一导电线和在所述第二区中的具有第二线宽的第二导电线，所述第二线宽小于所述第一线宽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 形成半导体装置的图案的方法
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