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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118155677A
主分类号：G11C11/408
分类号：G11C11/408;G11C11/4094;G11C29/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本申请实施例提供了一种存储结构、存储器及电子设备，涉及存储技术领域。该存储结构包括:多个阵列排布的存储阵列片、多个位线、多个字线、多个公共位线以及多个连接线；每个存储阵列片包括多层存储单元层，每个存储块包括多个存储单元；每个连接线与一个公共位线对应连接，多个连接线分别位于存储阵列片的两侧；任意两个分别位于同一个存储阵列片的两侧的连接线，用于与一个感应放大器连接且分别向感应放大器输出读取信号和读取信号的参考电压信号。本申请实施例实现了读取信号和参考电压信号源自同一个存储阵列片的两个位线上的信号，从而减小信号的串扰问题。
主权项：1.一种存储结构，其特征在于，包括:多个阵列排布的存储阵列片、多个位线、多个字线、多个公共位线以及多个连接线；每个所述存储阵列片包括多层存储单元层，每层所述存储单元层包括多个存储块，每个所述存储块包括阵列排布的多个存储单元，每个所述字线与沿所述字线延伸方向排布的一列所述存储单元连接，每个所述位线与沿所述位线延伸方向排布的至少一列所述存储单元连接；每个所述位线沿第一方向延伸，每个所述公共位线沿第二方向延伸，每个所述存储阵列片的两侧均设有至少一个所述公共位线，所述位线的一个端部向所述公共位线延伸至连接；所述第一方向与所述第二方向相交；每个所述连接线与一个所述公共位线对应连接，多个所述连接线分别位于所述存储阵列片的两侧；任意两个分别位于同一个所述存储阵列片的两侧的所述连接线，用于与一个感应放大器连接且分别向所述感应放大器输出读取信号和所述读取信号的参考电压信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 存储结构、存储器及电子设备
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