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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2020-03-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN111825054B
主分类号：B81B7/02
分类号：B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L1/16;G01L1/18
优先权：["20190418 US 16/387,918"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2020.11.13#实质审查的生效;2020.10.27#公开
摘要：本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对布置的第二表面；第一应力敏感传感器，设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述第一应力敏感传感器对机械应力敏感；第一应力解耦沟槽，具有从所述第一表面延伸到所述衬底中的竖直延伸，其中所述第一应力解耦沟槽朝向所述第二表面竖直地部分延伸至所述衬底中，但未完全延伸到所述第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从所述第二表面竖直地延伸至所述衬底中，其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与所述第一应力解耦沟槽的所述竖直延伸正交延伸的纵向延伸，以及其中所述多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽通过从所述第二表面延伸到所述第一应力解耦沟槽的底部的所述衬底的背侧部分而与所述多个粒子过滤器沟槽中邻近的粒子过滤器沟槽分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 应力解耦和粒子过滤器集成
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