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申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日：2024-02-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN117810310B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/048
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要：本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，太阳能电池制备包括：提供基底，所述基底的表面上具有第一掺杂层，所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区；在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上，形成保护层；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理，并刻蚀所述保护层，形成第一刻蚀掩模，所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区；基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理，将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面；去除所述第一刻蚀掩模。至少有利于降低太阳能电池的制备成本和难度。
主权项：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底的表面上具有第一掺杂层，所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区，所述金属化区中掺杂元素的掺杂浓度大于所述非金属化区中掺杂元素的掺杂浓度；在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上，形成保护层，形成所述保护层的方法包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的材料包括非晶硅、多晶硅或者碳化硅中的至少一者；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理，改性处理部分和未经改性处理部分具有不同的刻蚀特性，并通过湿法刻蚀去除所述保护层中未经改性处理的部分，形成第一刻蚀掩模，所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区，所述改性处理指的是通过镀膜、基团键合、化学反应或者晶格调整等手段中的至少一种，对膜层表现出的物理或者化学性能进行调整；基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行湿法刻蚀处理，将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面，同时保留所述金属化区远离所述基底的表面为平滑表面；去除所述第一刻蚀掩模。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
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