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【发明授权】单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池_安徽华晟新能源科技有限公司_202210807902.0 

申请/专利权人:安徽华晟新能源科技有限公司

申请日:2022-07-06

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN115172157B

主分类号:H01L21/308

分类号:H01L21/308;H01L31/20;H01L21/306;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/077;H01L31/0747

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2022.10.28#实质审查的生效;2022.10.11#公开

摘要:本发明涉及太阳能电池技术领域,具体提供一种单晶硅片的绒面制备方法和相应的太阳能电池,该方法包括:分别提供单晶硅片和碱溶液,碱溶液适于对单晶硅片的一侧表面进行腐蚀;在对单晶硅片待进行腐蚀的一侧表面形成反应阻挡层,反应阻挡层中具有贯穿反应阻挡层的若干开口;将形成有反应阻挡层的单晶硅片置于碱溶液中,在反应阻挡层背向单晶硅片的一侧表面以及开口的侧壁同时形成掩膜保护膜,掩膜保护膜在碱溶液的作用下吸附在反应阻挡层的表面;碱溶液与单晶硅片反应,在单晶硅片对应开口的区域内形成倒金字塔形绒面。该单晶硅片的绒面制备方法可以获得最佳的倒金字塔形貌,进而极大提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项:1.一种单晶硅片的绒面制备方法,其特征在于,包括:分别提供单晶硅片和碱溶液,所述碱溶液适于对所述单晶硅片的一侧表面进行腐蚀;在对所述单晶硅片待进行腐蚀的一侧表面形成反应阻挡层,所述反应阻挡层中具有贯穿所述反应阻挡层的若干开口;将形成有所述反应阻挡层的所述单晶硅片置于所述碱溶液中,在所述反应阻挡层背向所述单晶硅片的一侧表面以及所述开口的侧壁同时形成掩膜保护膜,所述掩膜保护膜在所述碱溶液的作用下吸附在所述反应阻挡层的表面;所述碱溶液与所述单晶硅片反应,在所述单晶硅片对应所述开口的区域内形成倒金字塔形绒面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽华晟新能源科技有限公司 单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池

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