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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-03-23
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113517203B
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L21/56
优先权：["20200528 US 63/031,087","20201019 US 17/074,107"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：在方法中，将晶圆接合至第一载体。该晶圆包括半导体衬底和延伸到该半导体衬底中的多个第一通孔。该方法还包括：在晶圆上方接合多个芯片，其中，间隙位于多个芯片之间；执行间隙填充工艺以在间隙中形成间隙填充区域；将第二载体接合至多个芯片和间隙填充区域上，使第一载体与晶圆剥离；以及形成电连接至晶圆中的导电部件的电连接件。电连接件通过多个第一通孔电连接至多个芯片。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一载体，所述第一载体包括空白硅层和在所述空白硅层上方的表面层；将第一晶圆接合至所述第一载体的所述表面层，其中，所述第一晶圆包括半导体衬底和延伸到所述半导体衬底中的多个第一通孔；在所述第一晶圆上方接合多个第一芯片，其中，间隙位于所述多个第一芯片之间执行间隙填充工艺，以在所述间隙中形成间隙填充区域；将第二载体接合至所述多个第一芯片和所述间隙填充区域上；将所述第一载体从所述第一晶圆剥离，其中，在所述第一载体剥离后，所述表面层保持与所述第一晶圆接合；以及形成电连接至所述第一晶圆中的导电部件的电连接件，其中，所述电连接件通过所述多个第一通孔电连接至所述多个第一芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体器件的方法
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