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申请/专利权人：上海阶梯医疗科技有限公司
申请日：2023-05-26
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197910A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;A61B5/294;A61B5/268;A61N1/05;H01L23/00;H01L23/552
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成屏蔽层以及电极结构，所述屏蔽层半包裹所述电极结构，且暴露出所述电极结构的表面的至少一部分；形成第一防水材料层，所述第一防水材料层覆盖所述屏蔽层的表面，且暴露出未被所述屏蔽层覆盖的电极结构的表面的至少一部分。本发明可以对屏蔽层与体内液体环境的接触进行有效隔离，提高对半导体器件的保护，减轻水解带来的渗液问题，提高器件品质。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成屏蔽层以及电极结构，所述屏蔽层半包裹所述电极结构，且暴露出所述电极结构的表面的至少一部分；形成第一防水材料层，所述第一防水材料层覆盖所述屏蔽层的表面，且暴露出未被所述屏蔽层覆盖的电极结构的表面的至少一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海阶梯医疗科技有限公司 半导体器件及其形成方法
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