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申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日：2022-12-12
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198099A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，具有第一导电类型；外延层，设置于基底上且具有第一导电类型，其中在外延层的上部具有突出结构；阱，设置于外延层中，且阱具有第二导电类型；绝缘结构，设置于突出结构的侧壁上；上电极层，围绕突出结构，且上电极层电连接至外延层及阱；以及下电极层，设置于基底下且与外延层相对。本申请的半导体结构具有与传统的接面能障肖特基或沟槽式接面能障肖特基二极管相当的击穿电压，同时具有各种电性上的改良。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：一基底，具有一第一导电类型；一外延层，设置于所述基底上且具有所述第一导电类型，其中在所述外延层的一上部具有一突出结构；一阱，设置于所述外延层中，且所述阱具有一第二导电类型；一绝缘结构，设置于所述突出结构的侧壁上；一上电极层，围绕所述突出结构，且所述上电极层电连接至所述外延层及所述阱；以及一下电极层，设置于所述基底下且与所述外延层相对。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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