申请/专利权人：苏州恩腾半导体科技有限公司

申请日：2023-11-13

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN117542755B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明涉及半导体器件制造的湿式蚀刻技术领域，特别涉及一种用于提供加热的蚀刻溶液的系统和方法，方法包括：在使用前采用进样技术对蚀刻溶液输送的液相色谱柱的毛细管进行反复洗气；采集蚀刻溶液的溶液温度、含水量和环境温度，判断溶液温度是否在蚀刻工艺的温度需求范围内，若否，则先进行温度调节，使得溶液温度满足温度需求范围要求后才实施圆晶的蚀刻工艺；在开始圆晶蚀刻前，先将溶液温度和含水量输入预设的工艺预测模型进行水蒸发量预测，得到单位时间的水损量数据；在实施圆晶的蚀刻工艺时，根据水损量数据向蚀刻溶液补充去离子水，并结合补充的去离子水的水温和环境温度实施蚀刻工艺的温度控制。系统用于实现上述方法。

主权项：1.一种用于提供加热的蚀刻溶液的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：采用液相色谱柱将蚀刻溶液送入刻蚀区域，使用前采用进样技术对液相色谱柱的毛细管进行反复洗气；S200：采集蚀刻溶液的溶液温度、含水量和环境温度，判断溶液温度是否在蚀刻工艺的温度需求范围内，若否，则先进行温度调节，使得溶液温度满足温度需求范围要求后才实施晶圆的蚀刻工艺；S300：在开始晶圆蚀刻前，先将溶液温度和含水量输入预设的工艺预测模型进行水蒸发量预测，得到单位时间的水损量数据；S400：在实施晶圆的蚀刻工艺时，根据水损量数据向蚀刻溶液补充去离子水，并结合补充的去离子水的水温和环境温度实施蚀刻工艺的温度控制；具体方式如下：采用以下公式计算加热量： 上式中，表示加热量；表示在蚀刻工艺中单位时间内的水损量数据；表示水的气化潜热，常数；表示水的比热，常数；表示单位时间内去离子水的补充量，当时，实现含水量的相对恒定；表示蚀刻溶液的溶液温度，采用温度传感器测量得到；表示补充的去离子水的水温，采用温度传感器测量得到；如果去离子水先经过了预热，则取预热后去离子水的水温；表示蚀刻溶液腔体壁的综合传热系数，综合传热系数是指在1度温差情况下单位时间内蚀刻溶液腔体壁单位面积的传热量；表示蚀刻溶液腔体壁的传热面积；表示环境温度，采用温度传感器测量得到；表示加热过程中单位时间内无效的热损耗率，即指加热中由于散发浪费的热量比率，根据测试获得后进行预先设定；根据上述计算得到的加热量实施加热，从而实现蚀刻工艺的温度精确控制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州恩腾半导体科技有限公司 用于提供加热的蚀刻溶液的系统和方法

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