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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-07
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173563A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146;H04N25/70;H04N25/77
优先权：["20221209 KR 10-2022-0171885"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底。贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管。源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。
主权项：1.一种图像传感器，包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底，贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管，其中，源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。
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