申请/专利权人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日:2024-01-11
公开(公告)日:2024-06-11
公开(公告)号:CN118168837A
主分类号:G01N1/06
分类号:G01N1/06;H01L21/66;G01N1/32;G01N21/88;G01N23/2202;G01N23/2251;G01N19/08
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要:本公开实施例公开了一种孪晶缺陷的检测方法、系统及计算机存储介质,所述检测方法包括:从待测单晶硅棒上取样得到第一样品硅片和第二样品硅片;当所述第一样品硅片上的第一线缺陷和所述第二样品硅片上的第二线缺陷的晶向均平行于110晶向时,分别测量得到所述第一线缺陷所对应的第一长度和所述第二线缺陷所对应的第二长度;基于所述第一样品硅片和所述第二样品硅片在所述待测单晶硅棒的轴向方向的第一距离、所述第一长度以及所述第二长度,判定所述待测单晶硅棒的内部是否存在孪晶缺陷。
主权项:1.一种孪晶缺陷的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:从待测单晶硅棒上取样得到第一样品硅片和第二样品硅片;当所述第一样品硅片上的第一线缺陷和所述第二样品硅片上的第二线缺陷的晶向均平行于110晶向时,分别测量得到所述第一线缺陷所对应的第一长度和所述第二线缺陷所对应的第二长度;其中,所述第一长度小于所述第二长度;基于所述第一样品硅片和所述第二样品硅片在所述待测单晶硅棒的轴向方向的第一距离、所述第一长度以及所述第二长度,判定所述待测单晶硅棒的内部是否存在孪晶缺陷。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种孪晶缺陷的检测方法、系统及计算机存储介质
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。