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申请/专利权人：翔声科技(厦门)有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173339A
主分类号：H01C17/24
分类号：H01C17/24;H01C17/00;H01C17/30;H01C7/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明提供了一种高精度阻值的晶片电阻制造方法，该方法包括，S7：基板进行阻值测量并得到初始阻值R0，初始阻值R0与目标阻值Ra差值满足以下公式：R0‑RaRa≤15％；S8：使用紫外光对基板进行一次粗切调阻，一次粗切调阻的切线宽度为10um至20um；S9：将基板进行退火热处理；S10：使用紫外光对基板进行二次精切调阻，使经过二次精切调阻的基板阻值R2与目标阻值Ra的电阻差值满足以下公式：R2‑RaRa≤0.17％，通过以上方法实现生产出的晶片电阻阻值与需要的目标阻值的偏差值小于0.17％。
主权项：1.一种高精度阻值的晶片电阻制造方法，其特征在于：该方法包括，S7：基板进行阻值测量并得到初始阻值R0，初始阻值R0与目标阻值Ra差值满足以下公式：R0-RaRa≤15％；S8：使用紫外光对基板进行一次粗切调阻，一次粗切调阻的切线宽度为10um至20um；S9：将基板进行退火热处理；S10：使用紫外光对基板进行二次精切调阻，使经过二次精切调阻的基板阻值R2与目标阻值Ra的电阻差值满足以下公式：R2-RaRa≤0.17％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 翔声科技(厦门)有限公司 一种高精度阻值的晶片电阻制造方法和晶片电阻
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