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申请/专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日：2020-03-31
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN111312709B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L21/822
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2020.06.19#公开
摘要：本发明涉及一种大功率瞬态电压抑制器及其制造方法，大功率瞬态电压抑制器采用P型衬底硅片，在现有大功率瞬态电压抑制器（TVS）结构基础上，在P型衬底与P型外延之间增加了N+埋层，深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接，通过深N+多晶硅或深N+区金属金属焊线金属框架进行引出，形成寄生NPN晶体管，即D1反向二极管与D2正向二极管，并使该NPN晶体管的发射极与基极短接。本发明的优越性在于：在不增加TVS器件面积的前提下，可以大大提升器件的电流能力、提升功率，最大浪涌电流可以提高50％以上。寄生的NPN晶体管具有极小的导通电阻，最终器件导通后的钳位电压更低，保护性能更强。
主权项：1.一种大功率瞬态电压抑制器，采用P型衬底硅片，在现有大功率瞬态电压抑制器（TVS）结构基础上，其特征在于，在P型衬底与P型外延层之间增加了N+埋层，深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接，深N+多晶硅或深N+区经正面金属层通过金属焊线连接金属框架，形成寄生NPN晶体管，即D1反向二极管与D2正向二极管，并使该NPN晶体管的发射极与基极短接；在P型衬底上表面有二个以上的N+埋层，在P型衬底背面有背面金属层，背面金属层与金属框架接触，作为接地端；在N+埋层上表面生长一层P型外延层；至少在P型外延层的两侧设置与N+埋层连接的深N+区或深N+多晶硅；以及至少一浅N+区，在二个深N+区之间或二个深N+多晶硅之间，并且浅N+区不与二个深N+区或二个深N+多晶硅连接；在上述P型外延层上表面沉积金属，并对金属进行光刻、刻蚀，形成正面金属层，然后淀积钝化层，并对钝化层进行光刻、刻蚀，形成金属引出窗口，其中，连接浅N+区的正面金属层作为器件输入端；二侧深N+区或深N+多晶硅经正面金属层通过金属焊线连接金属框架；所述的深N+多晶硅或深N+区的侧壁形成有N+侧壁，该N+侧壁与N+埋层连接；所述的浅N+区有二个，设在P型外延层上的同一层但不相接触，浅N+区连接正面金属层分别作为输入端1和输入端2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海维安半导体有限公司 一种大功率瞬态电压抑制器及其制造方法
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