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申请/专利权人：胜科纳米(苏州)股份有限公司
申请日：2023-03-31
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN116242683B
主分类号：G01N1/28
分类号：G01N1/28;G01N1/32;G01N23/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2023.06.27#实质审查的生效;2023.06.09#公开
摘要：本发明实施例公开了一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品，该平面透射电镜样品的制备方法，包括：提供绝缘体上硅器件样品；从基底硅远离埋氧层的一侧表面开始，对绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察第一抛光面的表面形态；根据第一抛光面的表面形态，实时获取第一抛光面的衬度；在第一抛光面的衬度与基底硅的衬度的差值满足第一预设范围时，停止对绝缘体上硅器件样品减薄抛光，获得平面透射电镜样品。利用上述方法，能够制备出减薄抛光停止位置更精确的平面透射电镜样品，通过监控衬度变化实现对减薄抛光停止位置的十纳米级精准定位，提高了该类失效分析的质量和成功率。
主权项：1.一种平面透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅器件样品，所述绝缘体上硅器件样品包括在厚度方向上依次层叠的顶层硅、埋氧层和基底硅；从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察所述第一抛光面的表面形态；根据所述第一抛光面的表面形态，实时获取所述第一抛光面的衬度；在所述第一抛光面的衬度与所述基底硅的衬度的差值满足第一预设范围时，停止对所述绝缘体上硅器件样品减薄抛光，获得平面透射电镜样品；其中，所述第一预设范围为预先获得的标准的绝缘体上硅器件中埋氧层与基底硅的衬度差值范围；其中，从所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面开始，对所述绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，包括：以聚焦离子束的出射方向与所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面的夹角为锐角的方式，利用所述聚焦离子束对所述基底硅远离所述埋氧层的一侧表面进行减薄抛光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜科纳米(苏州)股份有限公司 一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品
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