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申请/专利权人：信越半导体株式会社
申请日：2021-02-25
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN115461192B
主分类号：B24B7/00
分类号：B24B7/00;B24B1/00;H01L21/304
优先权：["20200508 JP 2020-082459"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2022.12.27#实质审查的生效;2022.12.09#公开
摘要：本发明是一种晶圆的平面研磨方法，在该方法中，准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面，且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆，将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆盖的树脂层，在树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体，在将晶圆复合体在基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第1主面，从晶圆复合体去除基底部件，在将晶圆在第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第2主面，清洗晶圆，去除残留在晶圆的边缘部的脱模剂层和树脂层。由此，提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
主权项：1.一种平面研磨方法，其为晶圆的平面研磨方法，包含以下步骤：通过切片工序及倒角工序准备晶圆，所述晶圆具有第1主面及所述第1主面相反侧的第2主面，且包含位于所述第1主面与所述第2主面之间的边缘部；将脱模剂涂布在所述晶圆的所述第2主面的一部分及所述边缘部而形成脱模剂层；在所述脱模剂层上形成将所述第2主面及所述边缘部全部覆盖的树脂层；在所述树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体；在将所述晶圆复合体在所述基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第1主面；从所述晶圆复合体去除所述基底部件；在将所述晶圆在已研磨的所述第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第2主面；以及清洗所述晶圆，去除残留在所述晶圆的所述边缘部的所述脱模剂层和所述树脂层。
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