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申请/专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日：2021-03-12
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN113053742B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开
摘要：本发明提供一种GaN器件及制备方法，在外延叠层上形成SiO2层，在SiO2层上形成金属源极及金属漏极，通过SiO2层拉高金属电极的亲和势，使金属电极高于AlGaN势垒层的导带能级，以消除金属‑半导体材料在接触时的肖特基势垒，使得电子主要通过带内隧穿过程注入到AlGaN势垒层中，而没有穿过肖特基势垒，SiO2层可有效降低欧姆接触电阻，提高GaN器件性能；本发明的GaN器件及制备方法，在形成金属栅极的过程中，通过在AlGaN势垒层中先形成具有预设深度的凹槽，而后采用预处理、氧化及湿法刻蚀的方式去除预留的AlGaN势垒层以显露GaN沟道层，可实现栅极制备的无损刻蚀，因此可进一步的提高GaN器件性能。
主权项：1.一种GaN器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供外延叠层，所述外延叠层包括自下而上堆叠设置的GaN沟道层及AlGaN势垒层；于所述外延叠层上形成SiO2层；于所述SiO2层上形成金属源极及金属漏极；利用氧气等离子气体进行干法刻蚀，图形化所述SiO2层显露部分所述AlGaN势垒层；利用氯基等离子气体进行干法刻蚀，图形化所述AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层中形成具有预设深度的凹槽；进行预处理，形成氧化层并进行等离子体氧化及湿法刻蚀，自所述凹槽去除所述AlGaN势垒层，显露部分所述GaN沟道层；于所述凹槽中形成栅氧介质层及金属栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江集迈科微电子有限公司 GaN器件及制备方法
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