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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明提供一种具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路及方法，电路包括二极管D1、二极管D2、钳位电容C1、去耦电容C2、电阻R1和电阻R2，二极管D1的阳极端连接在GaN器件的栅极上，二极管D1的阴极端经过钳位电容C1连接在GaN器件的源极上；电阻R1与钳位电容C1并联，二极管D2的阳极端连接在驱动电源上，二极管D2的阴极端经过所述去耦电容C2接地，二极管D2的阴极端还经过电阻R2与所述钳位电容C1的充电端连接。其效果是：电路设计简单，可有效钳位栅源电压，并且保护器件不受损坏，对器件开关速度没有影响，并且不会造成额外的开关损耗，同时不受栅极电阻的影响，可以增大开关速度并减小开关损耗，而且可以降低串扰的风险。
主权项：1.一种具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，包括二极管D1、二极管D2、钳位电容C1、去耦电容C2、电阻R1和电阻R2，所述二极管D1的阳极端连接在GaN器件的栅极上，所述二极管D1的阴极端经过所述钳位电容C1连接在GaN器件的源极上；所述电阻R1与钳位电容C1并联，所述二极管D2的阳极端连接在驱动电源上，所述二极管D2的阴极端经过所述去耦电容C2接地，所述二极管D2的阴极端还经过电阻R2与所述钳位电容C1连接，使得所述驱动电源经过所述二极管D2和电阻R2后为所述钳位电容C1充电；所述电阻R1的阻值大于所述电阻R2的阻值。
全文数据：
权利要求：
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