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申请/专利权人：深圳芯佰特微电子有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118214380A
主分类号：H03F3/19
分类号：H03F3/19;H03F3/21;H03F3/68;H03F1/56;H03G3/30
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种提高P1dB输出功率的GaNHEMT功率放大电路，包括：驱动级射频功率放大器和末级射频功率放大器；输入信号依次经过所述驱动级射频功率放大器、末级射频功率放大器放大后输出输出信号；所述驱动级射频功率放大器的静态工作点被配置为让其增益膨胀类型，所述末级射频功率放大器的静态工作点被配置为让其增益缓慢压缩类型。本发明的提高P1dB输出功率的GaNHEMT功率放大电路，增加驱动级射频功率放大器，并将驱动级射频功率放大器的AM‑AM曲线配置为增益膨胀类型，提升功率放大电路的P1dB输出功率，同时，将末级射频功率放大器配置为增益缓慢压缩类型，使功率放大电路的AM‑AM曲线，在高功率区域之外均能保持较高的平坦度。
主权项：1.一种提高P1dB输出功率的GaNHEMT功率放大电路，其特征在于，包括：驱动级射频功率放大器和末级射频功率放大器；输入信号依次经过所述驱动级射频功率放大器、末级射频功率放大器放大后输出输出信号；所述驱动级射频功率放大器的静态工作点被配置为让其增益膨胀类型，所述末级射频功率放大器的静态工作点被配置为让其增益缓慢压缩类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳芯佰特微电子有限公司 一种提高P1dB输出功率的GaN HEMT功率放大电路
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