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申请/专利权人：意法半导体国际公司
申请日：2023-12-13
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198120A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335
优先权：["20221213 FR FR2213256","20231129 US 18/523,185"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本公开涉及HEMT晶体管，包括：第一半导体层；布置在第一半导体层的第一表面上的栅极；在栅极的侧面上由第一材料制成的第一钝化层，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述表面的第一部分上方延伸；以及在第一半导体层的所述表面的与第一钝化层相邻的第二部分上由与第一材料不同的第二材料制成的第二钝化层。
主权项：1.一种HEMT晶体管，包括：-第一半导体层；-栅极，布置在第一半导体层的第一表面上；-第一钝化层，在栅极的两个或更多个侧面上由第一材料制成，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述第一表面的第一部分上方延伸；以及-第二钝化层，在第一半导体层的所述第一表面的与第一钝化层相邻的第二部分上由与第一材料不同的第二材料制成。
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