申请/专利权人：华南师范大学

申请日：2021-05-11

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN113257896B

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本发明涉及一种多场板射频HEMT器件及其制备方法，该射频HEMT器件通过在AlGaN势垒层两侧端设置第一N型掺杂GaN层和第二N型掺杂GaN层，进而在第一、第二N型掺杂GaN层上设置源极和漏极形成N型源极和漏极提高2DEG浓度增加电子迁移率，从而使导通电阻减小并改善截止频率的线性度，使得器件能够在高频下保持较好的工作状态；另一方面，栅极的两侧分别设置连接至栅极的第一栅极场板和第二栅极场板，第一、第二栅极场板与势垒层之间设置P型掺杂的GaN层，N型源极上设置延伸至栅极和栅极场板的源极场板，进一步调节了电场的分布，提高了器件的击穿电压和截止频率ft。

主权项：1.多场板射频HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；AlGaN缓冲层，位于衬底上；GaN沟道层，位于AlGaN缓冲层上；第一N型掺杂GaN层、AlGaN势垒层和第二N型掺杂GaN层同层依次排列设置于GaN沟道层上，N型掺杂GaN层的厚度等于AlGaN势垒层的厚度，所述AlGaN势垒层的Al组分选用20%~30%；源极及连接至源极的源极场板，位于第一N型掺杂GaN层上；漏极，位于第二N型掺杂GaN层上；位于AlGaN势垒层上的栅极及分别连接至栅极两侧的第一栅极场板和第二栅极场板，所述第一栅极场板的一端连接至栅极一侧，其另一端延伸靠近所述源极；所述第二栅极场板的一端连接至栅极的另一侧，其另一端延伸靠近所述漏极；其中，AlGaN势垒层的上表面并排设置有第一P型掺杂GaN层、第一钝化层以及第二P型掺杂GaN层，栅极位于第一钝化层上，第一栅极场板位于第一P型掺杂GaN层的上表面，第二栅极场板位于第二P型掺杂GaN层的上表面；源极场板的一端连接至源极，其另一端横跨栅极延伸至栅极场板靠近漏极一侧；所述第一P型掺杂GaN层及第二P型掺杂GaN层的厚度大于所述第一钝化层的厚度，所述第一钝化层的厚度为20nm~30nm；源极及连接源极的源极场板与栅极及栅极场板之间，以及与所述第一P型掺杂GaN层朝向源极的侧壁之间设置有第二钝化层，漏极与所述第二栅极场板之间，以及与所述第二P型掺杂GaN层朝向漏极的侧壁之间设置有第二钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南师范大学 多场板射频HEMT器件及其制备方法

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