龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：湖州闪芯微电子科技有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213399A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请涉及一种P型混合栅氮化镓HEMT功率晶体管，包括逐层设置的衬底与缓冲层、沟道层、势垒层，形成于势垒层上的主P型栅层、若干副P型栅层、位于P型栅层的两侧的源极和漏极，形成于源极和漏极相背的两侧的隔离区，依次形成于P型栅层上方的P型栅接触层、介质层和栅极；若干副P型栅层间隔排列在主P型栅层的单侧；源极接触或邻近副P型栅层，P型栅接触层形成且欧姆接触于副P型栅层上和源极上，顶面接触于介质层；栅极形成于主P型栅层上方和侧壁的介质层上，以及势垒层的局部上方的介质层上，以与主P型栅层和势垒层的局部在交叠区域处构成金属绝缘体半导体结构或金属绝缘体宽超宽禁带半导体叠层半导体结构。
主权项：1.一种P型混合栅氮化镓HEMT功率晶体管，其特征在于，包括：衬底与缓冲层；沟道层和势垒层，依次形成于所述衬底与缓冲层上；P型栅层，形成于所述势垒层上；所述P型栅层包括主P型栅层和若干个副P型栅层，所述若干个副P型栅层间隔排列在所述主P型栅层的单侧且与所述主P型栅层形成欧姆接触；源极和漏极，分别形成于所述势垒层上方的所述P型栅层的两侧，且所述源极接触于或邻近于所述副P型栅层，所述漏极与所述主P型栅层间隔设置；P型栅接触层，形成于所述副P型栅层的整体或局部上，以及所述源极上，且底面同时欧姆接触于所述副P型栅层和所述源极；介质层，形成于所述P型栅层上、所述势垒层上和所述P型栅接触层上；栅极，形成于所述主P型栅层上方的介质层上、所述主P型栅层的侧壁上的介质层上和所述势垒层的局部上方的介质层上，以与所述主P型栅层和所述势垒层局部在交叠区域处构成金属绝缘体半导体结构或金属绝缘体宽超宽禁带半导体叠层半导体结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖州闪芯微电子科技有限公司 P型混合栅氮化镓HEMT功率晶体管及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号