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【发明公布】一种基于BP神经网络的HEMT噪声模型构建方法及终端_福建省福联集成电路有限公司_202410080626.1 

申请/专利权人:福建省福联集成电路有限公司

申请日:2024-01-19

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118211548A

主分类号:G06F30/367

分类号:G06F30/367;G06N3/0499;G06N3/084;G06F119/08;G06F119/10

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明公开了一种基于BP神经网络的HEMT噪声模型构建方法及终端,基于噪声数据对BP神经网络进行训练后得到的神经网络噪声参数模型的输出为噪声模型参数随偏压条件、工作频率、器件尺寸和环境温度的非线性矩阵关系,将其作为噪声等效电路模型的输入,以实现神经网络噪声参数模型和噪声等效电路模型的结合,这样得到的基于BP神经网络的HEMT噪声模型建模流程简单便捷,且能够适应不同偏压条件、不同器件尺寸、不同环境温度,与实际量测的噪声数据具有较高的吻合度,且具备优秀的内插和外推特性,具有更加精准的噪声预测,从而有效提高了HEMT噪声模型的适用性和精度。

主权项:1.一种基于BP神经网络的HEMT噪声模型构建方法,其特征在于,包括步骤:获取HEMT晶体管的噪声数据;基于所述噪声数据对BP神经网络进行训练,得到神经网络噪声参数模型,所述神经网络噪声参数模型的输出为噪声模型参数随偏压条件、工作频率、器件尺寸和环境温度的非线性矩阵关系;建立噪声等效电路模型;将所述神经网络噪声参数模型的输出作为所述噪声等效电路模型的输入,以结合所述神经网络噪声参数模型和所述噪声等效电路模型,得到基于BP神经网络的HEMT噪声模型。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 福建省福联集成电路有限公司 一种基于BP神经网络的HEMT噪声模型构建方法及终端

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