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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
主权项：1.一种硅基氮化镓HEMT器件制备方法，其特征在于，包括：获取N型导电碳化硅衬底；对所述N型导电碳化硅衬底进行离子注入，得到离子注入后的N型导电碳化硅衬底；所述离子注入后的N型导电碳化硅衬底依次包括碳化硅薄膜、离子注入形成的缺陷层和剩余碳化硅衬底；对所述离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；所述绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底依次包括第一绝缘层、所述碳化硅薄膜、所述缺陷层和所述剩余碳化硅衬底；获取硅衬底；所述硅衬底为高阻硅衬底或者本征硅衬底；将所述硅衬底与所述绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；所述复合硅基衬底依次包括所述硅衬底、所述第一绝缘层和所述碳化硅薄膜；对所述复合硅基衬底表面的所述碳化硅薄膜进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于所述绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于所述氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件；所述对所述离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，包括：使用硼、铝中至少一种注入元素，对所述离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，注入剂量为1E16～1E19cm2，注入能量为5keV～30keV。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法
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