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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

摘要：本发明提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹槽深度等于沟槽深度，P型电子阻挡层和P接触层的上表面、沟槽与凹槽的内底壁和内侧壁设有第一钝化层，脊条上表面处的第一钝化层开设第一通孔，在第一钝化层和脊条的上表面处设有P电极；或者，凹槽和沟槽内均填充有第二金属层，P接触层、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的第二钝化层开设第二通孔，在第二钝化层和脊条的上表面处设置有P电极。其改进散热，降低封装要求。

主权项：1.一种GaN基激光二极管的脊波导组件，其特征在于，包括P型电子阻挡层102、P覆盖层103和P接触层104；所述P覆盖层103、P接触层104依次层叠设置在所述P型电子阻挡层102上，所述P接触层104的上表面处开设有两条平行的沟槽105，所述沟槽105的深度等于所述P接触层104的厚度与所述P覆盖层103的厚度之和；两条平行的沟槽105之间形成脊条，所述沟槽105的远离所述脊条的一侧为沟槽外侧；所述沟槽外侧的所述P接触层104的上表面处开设有凹槽106，所述凹槽106的深度等于所述沟槽105的深度，所述P型电子阻挡层102的上表面、所述P接触层104的上表面、所述沟槽105的内底壁和内侧壁、所述凹槽106的内底壁和内侧壁设置有第一钝化层107，脊条上表面处的所述第一钝化层107开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有P接触电极层109，在所述第一钝化层107和P接触电极层109的上表面设置有作为P电极108的第一金属层；或者，所述沟槽外侧的所述P接触层104的上表面处开设有凹槽106，所述凹槽106的深度等于所述沟槽105的深度，所述凹槽106和所述沟槽105内均填充有第二金属层110，所述P接触层104的上表面、第二金属层110的上表面设置有第二钝化层111，脊条上表面处的所述第二钝化层111开设有第二通孔，所述第二通孔内设置有P接触电极层109，在所述第二钝化层111和P接触电极层109的上表面设置有作为P电极108的第三金属层。

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