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申请/专利权人：丰田合成株式会社
申请日：2019-12-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112997324B
主分类号：H01L33/20
分类号：H01L33/20;H01L33/32;H01L33/38
优先权：["20181226 JP 2018-242168","20190111 JP 2019-003847"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开
摘要：本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。
主权项：1.一种半导体发光器件，其特征在于，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于上述基板的上述第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在上述n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周，在上述发光层中仅形成在与上述第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出上述紫外线的区域，其中，该发光区域是除去上述p型半导体层、上述发光层、以及上述n型半导体层而留下的发光区域。
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