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【发明公布】芯片晶圆测试优化方法_山东虹芯电子科技有限公司_202410608895.0 

申请/专利权人:山东虹芯电子科技有限公司

申请日:2024-05-16

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN118194730A

主分类号:G06F30/27

分类号:G06F30/27;G06F18/241;G06N3/126

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.14#公开

摘要:本发明涉及一种芯片晶圆测试优化方法,其包括建立多元失效模式模型,基于失效模式模型,量化分析不同失效模式间的空间相关性;智能自适应测试策略生成,根据当前晶圆批次的生产工艺参数、设备状态信息及预期良率,结合多元失效模式模型预测的失效概率分布,自动生成适应性更强的测试图形,新的适应性更强的测试图形以高失效概率区域为中心,动态调整测试密度和范围,运用遗传算法、模拟退火优化算法,根据失效模式相关性、测试成本、设备负载因素,优化待测试坐标库中管芯的测试顺序,实时测试反馈与动态调整,实现了晶圆测试的智能化、自适应化和精细化管理,提高了测试效率与准确性,降低了硬件损耗,并且为生产决策提供了强有力的数据支持。

主权项:1.芯片晶圆测试优化方法,其特征在于,包括步骤1,建立多元失效模式模型,收集历史晶圆测试数据,运用机器学习算法构建多元失效模式模型,识别并分类各类失效模式,基于失效模式模型,量化分析不同失效模式间的空间相关性;步骤2,智能自适应测试策略生成,根据当前晶圆批次的生产工艺参数、设备状态信息及预期良率,结合多元失效模式模型预测的失效概率分布,自动生成适应性更强的测试图形,新的适应性更强的测试图形以高失效概率区域为中心,动态调整测试密度和范围,运用遗传算法、模拟退火优化算法,根据失效模式相关性、测试成本、设备负载因素,优化待测试坐标库中管芯的测试顺序,优先测试预计失效性高或对整体良率影响大的管芯;步骤3,实时测试反馈与动态调整,在测试过程中,实时识别并记录每个测试点的失效模式,与多元失效模式模型进行对比验证,发现新型或异常失效模式,当遇到非预期失效模式或高集中度失效区域时,立即触发额外测试点的生成与添加,根据失效模式模型预测的影响范围动态调整,基于实时测试反馈,定期或遇特殊情况时,重新计算失效概率分布,更新测试图形和测试顺序,确保测试策略始终与当前生产条件相匹配;精确测试结果标记:对每个管芯进行精确的测试结果标记,包括测试状态、失效模式类别信息。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东虹芯电子科技有限公司 芯片晶圆测试优化方法

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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