申请/专利权人:瓴天科技(湖州)有限责任公司
申请日:2024-03-19
公开(公告)日:2024-06-14
公开(公告)号:CN118184344A
主分类号:C04B35/48
分类号:C04B35/48;C04B35/622
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.14#公开
摘要:本发明公开了水基流延浆料制备方法、制备陶瓷基片的方法和陶瓷基片,水基流延浆料制备方法包括:将陶瓷粉体、溶剂、分散剂和半数的表面活性剂混合后进行第一次球磨,得到初始浆料;其中,陶瓷粉体为氧离子导体型陶瓷材料粉体,陶瓷粉体的氧离子主要成分包括氧化锆、氧化铈或镓酸镧;将初始浆料与粘结剂、塑化剂、润滑剂和不超过半数的表面活性剂混合后进行第二次球磨,得到中间浆料;将中间浆料和剩余的表面活性剂再次混合并进行脱泡处理后,得到水基流延浆料。本发明通过优化原料加料顺序,极大地拓展了该技术的应用范围,不仅适用于传统的掺杂氧化锆材料,还能处理加工难度更高的掺杂氧化铈或镓酸镧材料,显著提升了流延技术的通用性与灵活性。
主权项:1.一种水基流延浆料制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将陶瓷粉体、溶剂、分散剂和半数的表面活性剂混合后进行第一次球磨,得到初始浆料;其中,所述陶瓷粉体为氧离子导体型陶瓷材料粉体,陶瓷粉体的氧离子主要成分包括氧化锆、氧化铈或镓酸镧;将所述初始浆料与粘结剂、塑化剂、润滑剂和不超过半数的表面活性剂混合后进行第二次球磨,得到中间浆料;将所述中间浆料和剩余的表面活性剂再次混合并进行脱泡处理后,得到水基流延浆料。
全文数据:
权利要求:
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