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申请/专利权人：西安理工大学
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197897A
主分类号：H01J43/04
分类号：H01J43/04;H01J43/06;H01J9/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开的无背电极的体电阻淬灭硅光电倍增管芯片及其制作方法，通过在低电阻率的硅衬底上外延较高电阻率的高品质外延层，在外延层上分别制作深阱、P++区、N++区、氧化硅层、金属电极，在晶圆正面形成阳极和阴极，无需在衬底背面实施工艺操作、制作结构，无背面电极，从而既可以解决现有体电阻淬灭的SiPM芯片制作工艺与标准CMOS工艺不兼容的问题，也可以解决现有的体电阻淬灭的SiPM芯片背面衬底无法减薄、划片难度较大的问题，还可以减小因对晶圆背面实施工艺过程中对晶圆正面造成的损伤，从而提高现有体电阻淬灭SiPM芯片的良品率。
主权项：1.无背电极的体电阻淬灭硅光电倍增管芯片，其特征在于，包括自下而上依次设置的硅衬底、外延层和SiO2介质层，外延层顶部注入离子形成有一圈外阱区和位于其内部的多个阵列设置的内阱区，外阱区顶部注入离子形成有第一重掺杂层，多个内阱区顶部注入离子形成有相互连通的第二重掺杂层，SiO2介质层上对应第一重掺杂层和第二重掺杂层均开设有接触通孔，接触通孔内均沉积有向上伸出的金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 无背电极的体电阻淬灭硅光电倍增管芯片及其制作方法
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