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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明提供一种石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法，石墨烯基全碳忆阻器的制备方法包括：将第一石墨烯结构转移到衬底上，对第一石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯沟道；利用第一电子束对涂覆在石墨烯沟道两侧的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在石墨烯沟道的顶部的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将第二石墨烯结构转移到碳绝缘层上，对第二石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯栅极；在碳电极的外侧和石墨烯栅极上制备连接电极，得到石墨烯基全碳忆阻器，性能稳定，能够实现多种电阻状态，且具有切换耐久性。
主权项：1.一种石墨烯基全碳忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：将第一石墨烯结构转移到衬底上，对所述第一石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯沟道；利用第一电子束对涂覆在所述石墨烯沟道两侧的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；将具有所述石墨烯沟道和所述碳电极的衬底置于惰性气体气氛中进行第一次退火处理；利用第二电子束对涂覆在所述石墨烯沟道的顶部的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将第二石墨烯结构转移到所述碳绝缘层上，对所述第二石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯栅极；在所述碳电极的外侧和所述石墨烯栅极上制备连接电极，并将具有所述石墨烯沟道、所述碳电极和所述石墨烯栅极的衬底置于惰性气体气氛中进行第二次退火处理，得到石墨烯基全碳忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法
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