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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括隔离区和源漏电极区，所述隔离区的延伸方向与所述多个栅极结构相交；去除位于所述隔离区内的层间介质层和部分栅极结构，暴露栅极结构断面以及所述栅极结构底部的栅介质层；以所述栅极结构底部的栅介质层为掩膜，去除部分厚度的初始隔离层，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽所暴露的初始隔离层上形成牺牲层，在所述栅极结构底部的栅介质层上形成隔离结构。本发明可以选择性的在栅极区域形成作为横切隔离结构的隔离结构，避免了薄弱连接点的出现，提高了器件的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的隔离层、位于所述隔离层上的多个第二栅极结构；所述基底包括相邻的器件单元区和隔离区，所述隔离区的延伸方向与所述多个第二栅极结构相交；所述第二栅极结构在所述器件单元区连续，在所述隔离区形成切断区域；隔离结构，位于所述切断区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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