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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198132A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/07;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种沟槽栅MOSFET器件，包括衬底层和外延层，外延层的上表面对称设置有源极结构，或外延层内嵌入设置有对称的源极结构，源极结构包括阱区、沟道区、第一源极接触区、第二源极接触区和源极电极，对称的源极结构之间设置有沟槽，且源极结构部分位于沟槽内，沟槽内还设置有栅极结构，栅极结构上还设置有绝缘介质层，绝缘介质层将栅极结构与源极结构的源极电极进行隔离，源极电极沿着第二源极接触区的上表面设置并纵向沿着沟槽内壁延伸至沟槽内，本发明在不改变沟槽宽度的同时，将源极电极由全部横向分布转变为横向和纵向分布相结合，减小器件在横向上的元胞尺寸，使得器件能够制备更多元胞结构，进而提高器件的电流密度。
主权项：1.一种沟槽栅MOSFET器件，其特征在于，包括衬底层和外延层，所述衬底层与外延层均为第一掺杂类型，所述外延层设置于衬底层的上表面，所述衬底层的下表面设置有漏极电极，所述外延层的上表面对称设置有源极结构，或所述外延层内嵌入设置有对称的源极结构，所述源极结构包括阱区、沟道区、第一源极接触区、第二源极接触区和源极电极，对称的所述源极结构之间设置有沟槽，且所述源极结构部分位于沟槽内，所述沟槽内还设置有栅极结构，所述栅极结构上还设置有绝缘介质层，所述绝缘介质层将栅极结构与源极结构的源极电极进行隔离，所述源极电极沿着第二源极接触区的上表面设置并纵向沿着沟槽内壁延伸至沟槽内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种沟槽栅MOSFET器件及制备方法
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