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申请/专利权人：中南大学
申请日：2024-03-31
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198353A
主分类号：H01M4/525
分类号：H01M4/525;H01M4/505;H01M4/485;H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1315;H01M10/054;H01M4/62;C01G53/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于钠离子电池领域，具体涉及一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物，其化学式为：NaaNibMncMedO2‑xAx，其中Me代表掺杂过渡金属元素，A代表阴离子；其中a为0.6≤a≤1.2，b为0.1＜b＜0.9，c为0.1＜c＜0.9，d为0≤d≤0.5，x为0＜x＜1.0；所述的A包括含有5种以上的阴离子，并能够形成高熵构型，且各阴离子的取值大于0，小于或等于0.1。本发明还包括所述的材料的制备和应用。本发明提供了一种高熵阴离子材料，所述的材料能够有效改善O层稳定性，改善材料的高压性能。
主权项：1.一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物，其特征在于，其化学式为：NaaNibMncMedO2-xAx，其中Me代表掺杂过渡金属元素，A代表阴离子；其中a为0.6≤a≤1.2，b为0.1＜b＜0.9，c为0.1＜c＜0.9，d为0≤d≤0.5，x为0＜x＜1.0；所述的A包括含有5种以上的阴离子，并能够形成高熵构型，且各阴离子的取值大于0，小于或等于0.1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物及其制备和在钠离子电池中的应用
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